-
1 пробой между базой и эмиттером
Русско-английский словарь по солнечной энергии > пробой между базой и эмиттером
-
2 пробой между базой и эмиттером
Русско-английский словарь по микроэлектронике > пробой между базой и эмиттером
-
3 пробой между базой и эмиттером
Русско-английский словарь по информационным технологиям > пробой между базой и эмиттером
-
4 импульсный пробой
Русско-английский большой базовый словарь > импульсный пробой
-
5 кумулятивный пробой
Русско-английский большой базовый словарь > кумулятивный пробой
-
6 лавинный пробой
-
7 электрический пробой
-
8 микроволновый пробой
Русско-английский словарь по информационным технологиям > микроволновый пробой
-
9 радиочастотный пробой
Русско-английский словарь по информационным технологиям > радиочастотный пробой
-
10 пробой между базой и эмиттером
Telecommunications: base-emitter breakdownУниверсальный русско-английский словарь > пробой между базой и эмиттером
-
11 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
12 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
См. также в других словарях:
Differential amplifier — symbol The inverting and non inverting inputs are distinguished by − and + symbols (respectively) placed in the amplifier triangle. Vs+ and Vs− are the power supply voltages; they are often omitted from the diagram for simplicity, but of course… … Wikipedia
2N2222 — The 2N2222, often referred to as the quad two transistor, is a small, common NPN BJT transistor used for general purpose low power amplifying or switching applications. It is designed for low to medium current, low power, medium voltage, and can… … Wikipedia
Avalanche transistor — An Avalanche Transistor is a bipolar junction transistor designed for operation in the region of its collector current/collector to emitter voltage characteristics beyond the collector to emitter breakdown voltage, called avalanche breakdown… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
Current source — Figure 1: An ideal current source, I, driving a resistor, R, and creating a voltage V A current source is an electrical or electronic device that delivers or absorbs electric current. A current source is the dual of a voltage source. The term… … Wikipedia
Operational amplifier — A Signetics μa741 operational amplifier, one of the most successful op amps. An operational amplifier ( op amp ) is a DC coupled high gain electronic voltage amplifier with a differential input and, usually, a single ended output.[1] An op amp… … Wikipedia
Multivibrator — A multivibrator is an electronic circuit used to implement a variety of simple two state systems such as oscillators, timers and flip flops. It is characterized by two amplifying devices (transistors, electron tubes or other devices) cross… … Wikipedia
Semiconductor device — Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most … Wikipedia
History of the transistor — Invention of the transistor= The first patent [patent|US|1745175|Julius Edgar Lilienfeld: Method and apparatus for controlling electric current first filed in Canada on 22.10.1925, describing a device similar to a MESFET] for the field effect… … Wikipedia
GgNMOS — is an abbreviation for grounded gate NMOS. A ggNMOS is an electrostatic discharge (ESD) protection device used within CMOS integrated circuits (IC). The importance of using of such devices within ICs can been seen in the statistics reported by… … Wikipedia
Zener diode — A Zener diode is a type of diode that permits current in the forward direction like a normal diode, but also in the reverse direction if the voltage is larger than the breakdown voltage known as Zener knee voltage or Zener voltage . The device… … Wikipedia